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K4B2G1646F-BCMA
EOL
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM DDR3 2 Gb 1866 Mbps
Hersteller:
Samsung Semiconductor
Datenblatt:
K4B2G1646F-BCMA Datenblatt
Geschichte Preis: $0
Vorrätig: 24800
Spezifikation
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K4B2G1646F-BCMA vs K4B4G1646E-BCMA
Teilenummer
K4B2G1646F-BCMA
K4B4G1646E-BCMA
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Samsung Semiconductor
Samsung Semiconductor
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
EOL
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
DDR3
DDR3
Speichergröße
2 Gb
4 Gb
Speicherorganisation
128M x 16
512M x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
-
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
-
Zugriffszeit
-
-
Spannung - Versorgung
1.5 V
1.5 V
Betriebstemperatur
0 ~ 85 ℃
0 ~ 85 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
96 FBGA
96 FBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
96 FBGA
96 FBGA