K4B2G1646F-BCMA
K4B2G1646F-BCMA
EOL
Beschreibung:  IC DRAM DDR3 2 Gb 1866 Mbps
Hersteller:  Samsung Semiconductor
Geschichte Preis: $0
Vorrätig: 24800
K4B2G1646F-BCMA vs K4B2G1646F-BFMA
Kategorie
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
EOL
EOL
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
DDR3
DDR3
Speichergröße
2 Gb
2 Gb
Speicherorganisation
128M x 16
128M x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
-
-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
-
Zugriffszeit
-
-
Spannung - Versorgung
1.5 V
1.35 V
Betriebstemperatur
0 ~ 85 ℃
-40 ~ 95 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
96 FBGA
96 FBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
96 FBGA
96 FBGA