Getriebene Konfiguration
Low-Side
Low-Side
Kanaltyp
Single
Independent
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
8.5V ~ 35V
4.5V ~ 30V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3.5V
0.8V, 3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
30A, 30A
2A, 2A
Eingangstyp
Inverting, Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
18ns, 16ns
7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
28-SOIC
8-DIP
