IXDN609SITR
IXDN609SITR
Active
Beschreibung:  IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Hersteller:  IXYS Corporation
Datenblatt:   IXDN609SITR Datenblatt
Geschichte Preis: $3.22000
Vorrätig: 5000
IXDN609SITR vs IXDN502SIA
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
Status
Active
Obsolete
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Low-Side
Kanaltyp
Single
Independent
Anzahl der Treiber
1
2
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 35V
4.5V ~ 30V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3V
0.8V, 3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
9A, 9A
2A, 2A
Eingangstyp
Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
22ns, 15ns
7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
8-SOIC