Getriebene Konfiguration
Low-Side
Low-Side
Kanaltyp
Independent
Independent
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 35V
4.5V ~ 30V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3V
0.8V, 3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
2A, 2A
2A, 2A
Eingangstyp
Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
7.5ns, 6.5ns
7.5ns, 6.5ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-SOIC-EP
8-DIP
