IXDN430YI
IXDN430YI
Obsolete
Beschreibung:  IC GATE DRVR LOW-SIDE TO263
Hersteller:  IXYS Corporation
Datenblatt:   IXDN430YI Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 42100
IXDN430YI vs IXDN504SIAT/R
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tube
Tape & Reel (TR)
Status
Obsolete
Obsolete
Getriebene Konfiguration
Low-Side
Low-Side
Kanaltyp
Single
Independent
Anzahl der Treiber
1
2
Gattertyp
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Spannung - Versorgung
8.5V ~ 35V
4.5V ~ 30V
Logikspannung - VIL, VIH
0.8V, 3.5V
0.8V, 3V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
30A, 30A
4A, 4A
Eingangstyp
Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
18ns, 16ns
9ns, 8ns
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263-5
8-SOIC