Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
SRAM
PSRAM
Technologie
SRAM - Asynchronous
PSRAM (Pseudo SRAM)
Speichergröße
1Mbit
64Mbit
Speicherorganisation
128K x 8
4M x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
12ns
70ns
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 5.5V
2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
32-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)
48-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
32-SOJ
48-TFBGA (6x8)
