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Integrierte Schaltungen (ICs)
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IS41C16100C-50TI
Obsolete
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
Hersteller:
ISSI
Datenblatt:
IS41C16100C-50TI Datenblatt
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 6785
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
Teilenummer
Hersteller
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Land / Region
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IS41C16100C-50TI vs IS49NLS96400-33B
Teilenummer
IS41C16100C-50TI
IS49NLS96400-33B
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
ISSI
ISSI
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
Obsolete
Obsolete
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
DRAM - EDO
RLDRAM 2
Speichergröße
16Mbit
576Mbit
Speicherorganisation
1M x 16
64M x 9
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
-
300 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
85ns
-
Zugriffszeit
25 ns
20 ns
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 5.5V
1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
50-TSOP (0.400", 10.16mm Width), 44 Leads
144-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
50-TSOP II
144-FCBGA (11x18.5)