Verpackung
Bulk or Tube
Tube
Speichertyp
Non-Volatile
Non-Volatile
Technologie
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße
256Kbit
2Mbit
Speicherorganisation
32K x 8
256K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
SPI
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
140ns
-
Spannung - Versorgung
2V ~ 3.6V
2V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäuse / Hülle
28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Gehäusetyp vom Lieferanten
28-SOIC
8-PDIP