Speichertyp
Non-Volatile
Non-Volatile
Speicherformat
EPROM
FRAM
Technologie
EPROM - OTP
FRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße
4Mbit
1Mbit
Speicherorganisation
512K x 8
128K x 8
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
-
90ns
Zugriffszeit
150 ns
90 ns
Spannung - Versorgung
4.5V ~ 5.5V
2V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
32-LCC (J-Lead)
32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
32-PLCC (14x11.46)
32-TSOP I
