Speichertyp
Non-Volatile
Non-Volatile
Speicherformat
EEPROM
FRAM
Technologie
EEPROM
FRAM (Ferroelectric RAM)
Speichergröße
2Kbit
1Mbit
Speicherorganisation
256 x 8
128K x 8
Speicherschnittstelle
I2C
Parallel
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ms
90ns
Zugriffszeit
3.5 μs
90 ns
Spannung - Versorgung
2.7V ~ 5.5V
2V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-DIP (0.300", 7.62mm)
32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DIP
32-TSOP I
