BR25L040FVT-WE2 vs BR25L160-W | Vergleich in der Spezifikation

BR25L040FVT-WE2

Not For New Designs

Speicher

Beschreibung: IC EEPROM 4KBIT SPI 5MHZ 8TSSOPB

Hersteller: Rohm Semiconductor

Datenblatt: BR25L040FVT-WE2 Datenblatt

Geschichte Preis: $0.57358

Vorrätig: 15000

BR25L040FVT-WE2 vs BR25L160-W

Teilenummer

Kategorie

Hersteller

Reihe

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Tube

Status

Not For New Designs

Obsolete

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

4Kbit

16Kbit

Speicherorganisation

512 x 8

2K x 8

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

5 MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Through Hole

Gehäuse / Hülle

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Gehäusetyp vom Lieferanten

8-TSSOP-B

8-DIP-T