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Integrierte Schaltungen (ICs)
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Speicher
/ Rohm Semiconductor BR24G256FVT-3GE2
BR24G256FVT-3GE2
Active
Speicher
Beschreibung:
IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOPB
Hersteller:
Rohm Semiconductor
Datenblatt:
BR24G256FVT-3GE2 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.71000
Vorrätig: 18300
Spezifikation
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BR24G256FVT-3GE2 vs BR25L080FVT-WE2
Teilenummer
BR24G256FVT-3GE2
BR25L080FVT-WE2
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Not For New Designs
Speichertyp
Non-Volatile
Non-Volatile
Speicherformat
EEPROM
EEPROM
Technologie
EEPROM
EEPROM
Speichergröße
256Kbit
8Kbit
Speicherorganisation
32K x 8
1K x 8
Speicherschnittstelle
I2C
SPI
Taktfrequenz
400 kHz
5 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
5ms
5ms
Zugriffszeit
-
-
Spannung - Versorgung
1.6V ~ 5.5V
1.8V ~ 5.5V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-TSSOP-B
8-TSSOP-B
