Kategorien
Hersteller
Kategorien
Hersteller
SUCHEN
☰
Startseite
/
Integrierte Schaltungen (ICs)
/
Speicher
/ Alliance Memory AS4C8M32SA-6BINTR
AS4C8M32SA-6BINTR
Active
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
Hersteller:
Alliance Memory
Datenblatt:
AS4C8M32SA-6BINTR Datenblatt
Geschichte Preis: $6.67500
Vorrätig: 37000
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
Teilenummer
Hersteller
Kontaktperson
E-Mail
Anfrage Menge
Land / Region
RFQ Einreichen
AS4C8M32SA-6BINTR vs AS4C8M32MSA-6BIN
Teilenummer
AS4C8M32SA-6BINTR
AS4C8M32MSA-6BIN
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Alliance Memory
Alliance Memory
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tray
Status
Active
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM
SDRAM - Mobile
Speichergröße
256Mbit
256Mbit
Speicherorganisation
8M x 32
8M x 32
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
166 MHz
166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
2ns
15ns
Zugriffszeit
5 ns
5.5 ns
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
90-TFBGA
90-VFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
90-TFBGA (8x13)
90-FBGA (8x13)
