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Integrierte Schaltungen (ICs)
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Speicher
/ Alliance Memory AS4C8M16SA-7BCNTR
AS4C8M16SA-7BCNTR
Active
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
Hersteller:
Alliance Memory
Datenblatt:
AS4C8M16SA-7BCNTR Datenblatt
Geschichte Preis: $3.68280
Vorrätig: 1300
Spezifikation
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AS4C8M16SA-7BCNTR vs AS4C8M16S-6BIN
Teilenummer
AS4C8M16SA-7BCNTR
AS4C8M16S-6BIN
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Alliance Memory
Alliance Memory
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tray
Status
Active
Obsolete
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM
SDRAM
Speichergröße
128Mbit
128Mbit
Speicherorganisation
8M x 16
8M x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
143 MHz
166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
14ns
2ns
Zugriffszeit
5.4 ns
5 ns
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
54-TFBGA
54-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
54-TFBGA (8x8)
54-TFBGA (8x8)
