AS4C8M16SA-6TANTR
AS4C8M16SA-6TANTR
Active
Beschreibung:  IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Hersteller:  Alliance Memory
Geschichte Preis: $3.63968
Vorrätig: 41100
AS4C8M16SA-6TANTR vs AS4C8M16SA-7BCN
Kategorie
Reihe
Automotive, AEC-Q100
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tray
Status
Active
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM
SDRAM
Speichergröße
128Mbit
128Mbit
Speicherorganisation
8M x 16
8M x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
166 MHz
143 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
12ns
14ns
Zugriffszeit
5 ns
5.4 ns
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 105 ℃ (TA)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
54-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
54-TSOP II
54-TFBGA (8x8)