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Integrierte Schaltungen (ICs)
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/ Alliance Memory AS4C8M16SA-6TAN
AS4C8M16SA-6TAN
Active
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Hersteller:
Alliance Memory
Datenblatt:
AS4C8M16SA-6TAN Datenblatt
Geschichte Preis: $4.61000
Vorrätig: 39400
Spezifikation
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Hersteller
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AS4C8M16SA-6TAN vs AS4C8M32S-6TIN
Teilenummer
AS4C8M16SA-6TAN
AS4C8M32S-6TIN
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Alliance Memory
Alliance Memory
Reihe
Automotive, AEC-Q100
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
Active
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM
SDRAM
Speichergröße
128Mbit
256Mbit
Speicherorganisation
8M x 16
8M x 32
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
166 MHz
166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
12ns
-
Zugriffszeit
5 ns
5.5 ns
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 105 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
54-TSOP II
86-TSOP II
