Kategorien
Hersteller
Kategorien
Hersteller
SUCHEN
☰
Startseite
/
Integrierte Schaltungen (ICs)
/
Speicher
/ Alliance Memory AS4C8M16SA-6BIN
AS4C8M16SA-6BIN
Active
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
Hersteller:
Alliance Memory
Datenblatt:
AS4C8M16SA-6BIN Datenblatt
Geschichte Preis: $5.61000
Vorrätig: 36000
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
Teilenummer
Hersteller
Kontaktperson
E-Mail
Anfrage Menge
Land / Region
RFQ Einreichen
AS4C8M16SA-6BIN vs AS4C8M32S-7BCN
Teilenummer
AS4C8M16SA-6BIN
AS4C8M32S-7BCN
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Alliance Memory
Alliance Memory
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
Active
Discontinued
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM
SDRAM
Speichergröße
128Mbit
256Mbit
Speicherorganisation
8M x 16
8M x 32
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
166 MHz
143 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
12ns
2ns
Zugriffszeit
5 ns
5.4 ns
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
54-TFBGA
90-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
54-TFBGA (8x8)
90-TFBGA (8x13)
