AS4C8M16SA-6BIN vs AS4C8M16S-6TIN | Vergleich in der Spezifikation | Octopart Deuschland

AS4C8M16SA-6BIN

AS4C8M16SA-6BIN

Active

Beschreibung: IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA

Hersteller: Alliance Memory

Datenblatt: AS4C8M16SA-6BIN Datenblatt

Geschichte Preis: $5.61000

Vorrätig: 36000

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AS4C8M16SA-6BIN vs AS4C8M16S-6TIN

Teilenummer

AS4C8M16SA-6BIN

Kategorie

Hersteller

Alliance Memory

Alliance Memory

Reihe

-

-

Verpackung

Tray

Tray

Status

Active

Obsolete

Speichertyp

Volatile

Volatile

Speicherformat

DRAM

DRAM

Technologie

SDRAM

SDRAM

Speichergröße

128Mbit

128Mbit

Speicherorganisation

8M x 16

8M x 16

Speicherschnittstelle

Parallel

Parallel

Taktfrequenz

166 MHz

166 MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

2ns

Zugriffszeit

5 ns

5 ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)

-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Surface Mount

Gehäuse / Hülle

54-TFBGA

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Gehäusetyp vom Lieferanten

54-TFBGA (8x8)

54-TSOP II