AS4C8M16SA-6BAN
AS4C8M16SA-6BAN
Active
Beschreibung:  IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
Hersteller:  Alliance Memory
Geschichte Preis: $5.47000
Vorrätig: 32600
AS4C8M16SA-6BAN vs AS4C8M16SA-6TIN
Kategorie
Reihe
Automotive, AEC-Q100
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
Active
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM
SDRAM
Speichergröße
128Mbit
128Mbit
Speicherorganisation
8M x 16
8M x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
166 MHz
166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
12ns
12ns
Zugriffszeit
5 ns
5 ns
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 105 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
54-TFBGA
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Gehäusetyp vom Lieferanten
54-TFBGA (8x8)
54-TSOP II