AS4C8M16S-6TIN
AS4C8M16S-6TIN
Obsolete
Beschreibung:  IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
Hersteller:  Alliance Memory
Geschichte Preis: Obsolete
Vorrätig: 22400
AS4C8M16S-6TIN vs AS4C8M32SA-6BIN
Kategorie
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
Obsolete
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM
SDRAM
Speichergröße
128Mbit
256Mbit
Speicherorganisation
8M x 16
8M x 32
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
166 MHz
166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
2ns
2ns
Zugriffszeit
5 ns
5 ns
Spannung - Versorgung
3V ~ 3.6V
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
90-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
54-TSOP II
90-TFBGA (8x13)