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Integrierte Schaltungen (ICs)
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AS4C8M16D1-5BIN
Active
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM 128MBIT PAR 60TFBGA
Hersteller:
Alliance Memory
Datenblatt:
AS4C8M16D1-5BIN Datenblatt
Geschichte Preis: $4.35000
Vorrätig: 41800
Spezifikation
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Hersteller
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AS4C8M16D1-5BIN vs AS4C8M32SA-7BCN
Teilenummer
AS4C8M16D1-5BIN
AS4C8M32SA-7BCN
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Alliance Memory
Alliance Memory
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
Active
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR
SDRAM
Speichergröße
128Mbit
256Mbit
Speicherorganisation
8M x 16
8M x 32
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
200 MHz
143 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
2ns
Zugriffszeit
700 ps
5.4 ns
Spannung - Versorgung
2.3V ~ 2.7V
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
0 ℃ ~ 70 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
60-TFBGA
90-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
60-TFBGA (8x13)
90-TFBGA (8x13)
