Kategorien
Hersteller
Kategorien
Hersteller
SUCHEN
☰
Startseite
/
Integrierte Schaltungen (ICs)
/
Speicher
/ Alliance Memory AS4C128M16D2A-25BIN
AS4C128M16D2A-25BIN
Active
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
Hersteller:
Alliance Memory
Datenblatt:
AS4C128M16D2A-25BIN Datenblatt
Geschichte Preis: $15.60000
Vorrätig: 100
Spezifikation
PDF Datenblatt
Teile Vergleichen
Rezension
Teilenummer
Hersteller
Kontaktperson
E-Mail
Anfrage Menge
Land / Region
RFQ Einreichen
AS4C128M16D2A-25BIN vs AS4C8M32MSA-6BINTR
Teilenummer
AS4C128M16D2A-25BIN
AS4C8M32MSA-6BINTR
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Alliance Memory
Alliance Memory
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR2
SDRAM - Mobile
Speichergröße
2Gbit
256Mbit
Speicherorganisation
128M x 16
8M x 32
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
400 MHz
166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
15ns
Zugriffszeit
-
5.5 ns
Spannung - Versorgung
1.7V ~ 1.9V
1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 95 ℃ (TC)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
84-TFBGA
90-VFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
84-FBGA (10.5x13.5)
90-FBGA (8x13)
