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AS4C128M16D2A-25BIN
Active
Speicher
Beschreibung:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
Hersteller:
Alliance Memory
Datenblatt:
AS4C128M16D2A-25BIN Datenblatt
Geschichte Preis: $15.60000
Vorrätig: 100
Spezifikation
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AS4C128M16D2A-25BIN vs AS4C8M16SA-6BIN
Teilenummer
AS4C128M16D2A-25BIN
AS4C8M16SA-6BIN
Kategorie
Speicher
Speicher
Hersteller
Alliance Memory
Alliance Memory
Reihe
-
-
Verpackung
Tray
Tray
Status
Active
Active
Speichertyp
Volatile
Volatile
Speicherformat
DRAM
DRAM
Technologie
SDRAM - DDR2
SDRAM
Speichergröße
2Gbit
128Mbit
Speicherorganisation
128M x 16
8M x 16
Speicherschnittstelle
Parallel
Parallel
Taktfrequenz
400 MHz
166 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite
15ns
12ns
Zugriffszeit
-
5 ns
Spannung - Versorgung
1.7V ~ 1.9V
3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 95 ℃ (TC)
-40 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
84-TFBGA
54-TFBGA
Gehäusetyp vom Lieferanten
84-FBGA (10.5x13.5)
54-TFBGA (8x8)
