Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Half-Bridge
Kanaltyp
Independent
Independent
Gattertyp
IGBT, SiC MOSFET
IGBT, SiC MOSFET
Spannung - Versorgung
3V ~ 5.5V
3V ~ 5.5V
Logikspannung - VIL, VIH
-
-
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
5mA, -
5mA, -
Eingangstyp
Non-Inverting
Non-Inverting
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
500ns, 500ns
500ns, 500ns
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃
-40 ℃ ~ 85 ℃
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
Module
Module
Gehäusetyp vom Lieferanten
Module
Module
