Getriebene Konfiguration
Half-Bridge
Half-Bridge
Kanaltyp
Independent
Independent
Gattertyp
IGBT, SiC MOSFET
IGBT
Spannung - Versorgung
3V ~ 5.5V
15V ~ 24V
Logikspannung - VIL, VIH
-
0.8V, 2V
Strom - Spitze, Ausgang (Quelle, Senke)
5mA, -
-
Eingangstyp
Non-Inverting
-
Spannung, High-Side - Max. (Bootstrap)
-
-
Anstiegs- / Abfallzeit (typ.)
500ns, 500ns
-
Betriebstemperatur
-40 ℃ ~ 85 ℃
-30 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
Module
34-DIP Module, 31 Leads
Gehäusetyp vom Lieferanten
Module
0502
