Technologie
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
10A
8A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.6 V @ 10 A
1.7 V @ 8 A
Geschwindigkeit
No Recovery Time >500mA (Io)
No Recovery Time >500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
110 μA @ 1200 V
50 μA @ 650 V
Kapazität bei Vr, F
510pF @ 1V, 1MHz
250pF @ 1V, 1MHz
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-2
TO-220-2
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-2
TO-220-2
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 175 ℃
-55 ℃ ~ 175 ℃
