TN2510N8-G
TN2510N8-G
Active
Beschreibung:  MOSFET N-CH 100V 730MA TO243AA
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   TN2510N8-G Datenblatt
Geschichte Preis: $1.28000
Vorrätig: 13260
TN2510N8-G vs TN2504N8-G
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
730mA (Tj)
890mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
3V, 10V
5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1.5Ohm @ 750mA, 10V
1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V @ 1mA
1.6V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
Vgs (Max.)
?0V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
125 pF @ 25 V
125 pF @ 20 V
FET-Merkmal
-
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
1.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-243AA (SOT-89)
TO-243AA (SOT-89)
Gehäuse / Hülle
TO-243AA
TO-243AA