TN2425N8-G
TN2425N8-G
Active
Beschreibung:  MOSFET N-CH 250V 480MA SOT89-3
Hersteller:  Microchip Technology
Datenblatt:   TN2425N8-G Datenblatt
Geschichte Preis: $1.61000
Vorrätig: 48840
TN2425N8-G vs TN2130K1-G
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
480mA (Tj)
85mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
3V, 10V
4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3.5Ohm @ 500mA, 10V
25Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 1mA
2.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
Vgs (Max.)
?0V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
200 pF @ 25 V
50 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Tc)
360mW (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-89-3
TO-236AB (SOT23)
Gehäuse / Hülle
TO-243AA
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3