Verpackung
Bag
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
300mA (Tj)
85mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
4.5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.5Ohm @ 500mA, 10V
25Ohm @ 120mA, 4.5V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V @ 1mA
2.4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
50 pF @ 25 V
50 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
740mW (Tc)
360mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TA)
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
SOT-23-3
Gehäuse / Hülle
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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