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Startseite  /  Diskrete Halbleiter  /  Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren  /  onsemi TIP50G
TIP50G
TIP50G
Active
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Beschreibung:  TRANS NPN 400V 1A TO220
Hersteller:  onsemi
Datenblatt:   TIP50G Datenblatt
Geschichte Preis: $1.00000
Vorrätig: 26600
Spezifikation
PDF Datenblatt
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Rezension
TIP50G vs TIP49 SL
Teilenummer
TIP50G
TIP49 SL
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzelne bipolare transistoren
Hersteller
onsemi
Central Semiconductor
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk or Tube
Tube
Status
Active
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
400 V
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1V @ 200mA, 1A
1V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
1mA
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
30 @ 300mA, 10V
30 @ 300mA, 10V
Leistung - Max.
2 W
40 W
Frequenz - übergang
10MHz
10MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
TO-220-3
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