Transistor-Typ
PNP
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
10 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
100 V
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
-
2V @ 250mA, 5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
-
250μA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
100 @ 3A, 4V
150 @ 2.5A, 5V
Leistung - Max.
80 W
80 W
Frequenz - übergang
3MHz
-
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-218-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-218
TO-220
