Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
-
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
60 V
250 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
1V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
2mA
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
30 @ 300mA, 10V
Frequenz - übergang
25MHz
10MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
TO-220AB