Transistor-Typ
NPN - Darlington
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
8 A
1 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
80 V
350 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.5V @ 80mA, 8A
1V @ 200mA, 1A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
50μA
1mA
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
1000 @ 3A, 4V
30 @ 300mA, 10V
Frequenz - übergang
4MHz
10MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
TO-220-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
TO-220-3
