Reihe
SuperMESH5
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE, STripFET VI
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
6A (Tc)
80A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
950mOhm @ 3A, 10V
6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V @ 100μA
4.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
16.5 nC @ 10 V
122 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
450 pF @ 100 V
7480 pF @ 25 V
Verlustleistung (max.)
110W (Tc)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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