Reihe
DeepGATE, STripFET VII
MDmesh II
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
80A (Tc)
5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4.5V @ 250μA
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
61 nC @ 10 V
14 nC @ 10 V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4369 pF @ 50 V
363 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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