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SBS813-TL-E
SBS813-TL-E
Active
Beschreibung:  30 V, 3.0 A LOW VF SCHOTTKY BARR
Hersteller:  SANYO Semiconductor
Datenblatt:   SBS813-TL-E Datenblatt
Geschichte Preis: $1.00000
Vorrätig: 13090
SBS813-TL-E vs SBS818-TL-E
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bulk
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Obsolete
Diodenkonfiguration
2 Independent
2 Independent
Technologie
Schottky
Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
30 V
30 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
3A
2A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
420 mV @ 3 A
520 mV @ 2 A
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Fast Recovery = 200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
20 ns
10 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
1.4 mA @ 15 V
350 μA @ 15 V
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 125 ℃
-55 ℃ ~ 125 ℃
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
8-SMD, Flat Lead
8-SMD, Flat Lead
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-VEC
8-EMH