S3M-E3/57T
S3M-E3/57T
Active
Beschreibung:  DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Hersteller:  Vishay
Datenblatt:   S3M-E3/57T Datenblatt
Geschichte Preis: $0.54000
Vorrätig: 20100
S3M-E3/57T vs S3M
Teilenummer
Hersteller
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
Technologie
Standard
Standard
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1000 V
1000 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io)
3A
3A
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.15 V @ 2.5 A
1.2 V @ 3 A
Geschwindigkeit
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
2.5 μs
2.5 μs
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
10 μA @ 1000 V
5 μA @ 1000 V
Kapazität bei Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
60pF @ 4V, 1MHz
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäuse / Hülle
DO-214AB, SMC
DO-214AB, SMC
Gehäusetyp vom Lieferanten
DO-214AB (SMC)
SMC (DO-214AB)
Betriebstemperatur - übergang
-55 ℃ ~ 150 ℃
-55 ℃ ~ 150 ℃