Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
FET-Typ
P-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
70A (Tc)
70A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3450 pF @ 25 V
5380 pF @ 20 V
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252-2
TO-252-2
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
