Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
FET-Typ
P-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
70A (Ta)
7A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
580mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3450 pF @ 25 V
587 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
90W (Ta)
63W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (5x6)
TO-251
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
TO-251-3 Stub Leads, IPak
