RM70P30DF
RM70P30DF
Active
Beschreibung:  MOSFET P-CHANNEL 30V 70A 8DFN
Hersteller:  Rectron Limited
Datenblatt:   RM70P30DF Datenblatt
Geschichte Preis: $0.29000
Vorrätig: 37000
RM70P30DF vs RM70P30LD
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
FET-Typ
P-Channel
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
70A (Ta)
70A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
2.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
Vgs (Max.)
?0V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3450 pF @ 25 V
3450 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
-
Verlustleistung (max.)
90W (Ta)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (5x6)
TO-252-2
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63