Verpackung
Tube
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
115A (Tc)
170A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4.7mOhm @ 15A, 10V
1.65mOhm @ 85A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
Vgs (Max.)
+20V, -12V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5900 pF @ 30 V
7300 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
160W (Tc)
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
8-DFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
8-PowerVDFN
