RM100N65DF
RM100N65DF
Active
Beschreibung:  MOSFET N-CHANNEL 65V 100A 8DFN
Hersteller:  Rectron Limited
Datenblatt:   RM100N65DF Datenblatt
Geschichte Preis: $0.65000
Vorrätig: 27600
RM100N65DF vs RM185N30DF
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100A (Tc)
185A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
1.4mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
Vgs (Max.)
+20V, -12V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9500 pF @ 25 V
8800 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
-
Verlustleistung (max.)
142W (Tc)
95W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (5x6)
8-DFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN