Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100A (Tc)
5.1A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
65mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
4.5V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
Vgs (Max.)
+20V, -12V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9500 pF @ 25 V
730 pF @ 75 V
Verlustleistung (max.)
142W (Tc)
3W (Ta), 5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (5x6)
8-SOP
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)