Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100A (Tc)
130A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4.5V, 10V
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2.8mOhm @ 20A, 10V
3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
2.4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
Vgs (Max.)
+20V, -12V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9500 pF @ 25 V
4200 pF @ 15 V
Verlustleistung (max.)
142W (Tc)
45W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
8-DFN (5x6)
8-DFN-EP (3x3)
Gehäuse / Hülle
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN
