RM1002
RM1002
Active
Beschreibung:  MOSFET N-CHANNEL 100V 2A SOT23
Hersteller:  Rectron Limited
Datenblatt:   RM1002 Datenblatt
Geschichte Preis: $0.04400
Vorrätig: 20800
RM1002 vs RM185N30DF
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Status
Active
Active
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2A (Ta)
185A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
4.5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
220mOhm @ 1A, 10V
1.4mOhm @ 95A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
2V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
Vgs (Max.)
?0V
?0V
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
190 pF @ 50 V
8800 pF @ 15 V
FET-Merkmal
-
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
95W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Surface Mount
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
8-DFN (5x6)
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-PowerVDFN