Verpackung
Tape & Reel (TR)
Tube
FET-Typ
N-Channel
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
2A (Ta)
11.5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
220mOhm @ 1A, 10V
360mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2.5V @ 250μA
4V @ 250μA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
-
-
EingangsKapazität (Ciss) (max.) bei Vds
190 pF @ 50 V
870 pF @ 50 V
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
101W (Tc)
Betriebstemperatur
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Surface Mount
Through Hole
Gehäusetyp vom Lieferanten
SOT-23
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-220-3
