Transistor-Typ
NPN - Darlington
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
10 A
17 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
400 V
200 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
2.9V @ 1A, 10A
2.5V @ 1A, 10A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
250μA
100μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 2.5A, 5V
20 @ 8A, 4V
Leistung - Max.
150 W
200 W
Frequenz - übergang
-
20MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-204AA, TO-3
3-SIP
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3
3-SIP
