NTE81
NTE81
Active
Beschreibung:  TRANS NPN 30V 0.5A TO99
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE81 Datenblatt
Geschichte Preis: $24.04000
Vorrätig: 36800
NTE81 vs NTE89
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
6 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
600 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.2V @ 30mA, 300mA
5V @ 1A, 5A
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
15nA
10μA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
8 @ 1A, 5V
Leistung - Max.
625 mW
50 W
Frequenz - übergang
250MHz
3MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-99-6 Metal Can
TO-204AA, TO-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-99
TO-3