NTE81
NTE81
Active
Beschreibung:  TRANS NPN 30V 0.5A TO99
Hersteller:  NTE Electronics
Datenblatt:   NTE81 Datenblatt
Geschichte Preis: $24.04000
Vorrätig: 36800
NTE81 vs NTE47
Teilenummer
Reihe
-
-
Verpackung
Bag
Bag
Status
Active
Active
Transistor-Typ
NPN
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
200 mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)
30 V
45 V
Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic
1.2V @ 30mA, 300mA
300mV @ 500μA, 50mA
Strom - Kollektor, Reststrom (max.)
15nA
50nA (ICBO)
GleichstromVerstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
500 @ 10mA, 5V
Leistung - Max.
625 mW
625 mW
Frequenz - übergang
250MHz
160MHz
Betriebstemperatur
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Montagetyp
Through Hole
Through Hole
Gehäuse / Hülle
TO-99-6 Metal Can
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-99
TO-92